Infineon Technologies AG renforce son leadership sur le marché des semi-conducteurs de puissance en ajoutant d'importantes capacités de fabrication dans le domaine des semi-conducteurs à large bande interdite (SiC et GaN). L'entreprise investit plus de €2 milliards pour construire un troisième module sur son site de Kulim, en Malaisie. Une fois entièrement équipé, le nouveau module générera 2 milliards d'euros de revenus annuels supplémentaires avec des produits à base de carbure de silicium et de nitrure de gallium. L'expansion, qui suit la stratégie de fabrication à long terme de l'entreprise, bénéficiera des excellentes économies d'échelle déjà réalisées pour la fabrication de 200 millimètres à Kulim. Elle complétera la position de leader d'Infineon dans le domaine du silicium, basée sur la fabrication en 300 millimètres à Villach et à Dresde. Ce nouvel investissement renforcera considérablement son avantage concurrentiel global, qui repose sur la combinaison d'un leadership technologique, d'un large portefeuille de produits et d'un savoir-faire approfondi en matière d'applications, conformément à l'approche "Product to System" d'Infineon.