PARIS (Agefi-Dow Jones)--Le fabricant de semi-conducteurs STMicroelectronics a annoncé lundi l'extension d'un accord pluriannuel et de long terme portant sur la fourniture de substrats carbure de silicium (SiC) en 150 mm avec SiCrystal, une filiale du groupe japonais ROHM.

"Le nouvel accord pluriannuel régit la fourniture de volumes plus importants de substrats SiC fabriqués à Nuremberg (Allemagne) pour une valeur minimale attendue de 230 millions de dollars", a indiqué STMicroelectronics dans un communiqué.

"Cet accord étendu avec SiCrystal nous apportera des volumes supplémentaires de substrats SiC en 150 mm afin de soutenir l'augmentation de notre capacité de fabrication de composants pour nos clients des secteurs de l'automobile et de l'industriel à travers le monde", a indiqué le vice-président exécutif en charge des achats de STMicroelectronics, Geoff West, cité dans le communiqué.

"Les semi-conducteurs de puissance SiC à haut rendement énergétique permettent l'électrification des secteurs de l'automobile et de l'industriel selon une approche plus durable", a ajouté STMicroelectronics.

-Alice Doré, Agefi-Dow Jones; +33 (0)1 41 27 47 90; adore@agefi.fr ed: VLV

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April 22, 2024 03:22 ET (07:22 GMT)