Everspin annonce l'extension de sa gamme de mémoires STT-MRAM industrielles
Le 17 octobre 2023 à 11:00
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Everspin Technologies, Inc. a annoncé qu'elle élargissait sa famille de produits STT-MRAM industriels à haute densité, les EMxxLX. Le produit EMxxLX, annoncé l'année dernière, est la mémoire persistante la plus performante disponible aujourd'hui. Il est idéal pour les systèmes électroniques où la persistance et l'intégrité des données, la faible consommation, la faible latence et la sécurité sont primordiales, comme l'IoT industriel, l'infrastructure réseau/entreprise, l'automatisation et le contrôle des processus, l'aéronautique/avionique, le médical, les jeux et la configuration FPGA.
La première interface série xSPI de l'industrie basée sur la technologie STT-MRAM unique d'Everspin est la seule mémoire persistante disponible dans le commerce avec une bande passante de lecture et d'écriture complète de 400 mégaoctets par seconde via huit signaux d'E/S avec une fréquence d'horloge de 200 MHz. La nouvelle famille étendue de dispositifs EMxxLX offre la meilleure combinaison de performances, d'endurance et de rétention et est désormais disponible dans des densités de 4 à 64 mégabits avec un nouveau conditionnement plus petit pour les produits de 4 à 16 mégabits. Le nouveau boîtier DFN de 5 mm x 6 mm permet d'économiser 37 % de surface par rapport à l'offre existante.
En plus de la nouvelle capacité et de l'emballage plus petit, Everspin offre une plage de température étendue dans les produits EMxxLX, de -40°C à 105°C. La famille EMxxLX peut remplacer d'autres solutions telles que SRAM, BBSRAM, FRAM, NVSRAM et NOR flash. Everspin échantillonne actuellement l'option de capacité de 4Mb avec le plus petit boîtier DFN, la production étant prévue pour le premier trimestre 2024. Les options de capacité de 8Mb à 64Mb avec la plage de température étendue sont disponibles pour des commandes de production dès maintenant.
Everspin Technologies, Inc. fournit des solutions de mémoire vive magnéto-résistive (MRAM). Les solutions MRAM de la société offrent une mémoire non volatile avec la vitesse et l'endurance de la mémoire vive (RAM) et permettent de protéger les données critiques, en particulier en cas de coupure de courant ou de panne. Son portefeuille de technologies MRAM comprend la Toggle MRAM et la Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Les produits Toggle MRAM sont dotés d'interfaces standard, notamment des interfaces parallèles, SPI (Serial Peripheral Interface) et QSPI (Quad SPI). Sa technologie STT-MRAM fournit des produits pour les applications de mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM), SRAM et NOR Flash. Elle propose ses produits avec des interfaces dérivées DDR3 et DDR4, ce qui facilite le remplacement de la DRAM sur batterie par la STT-MRAM. Ses capteurs 3D à magnétorésistance à effet tunnel (TMR) offrent une grande sensibilité magnétique dans un composant unique qui effectue des mesures de champ magnétique en 3D dans une solution monolithique.