Everspin Technologies, Inc. annonce ses résultats pour le deuxième trimestre clos le 30 juin 2021
Le 12 août 2021 à 23:26
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Everspin Technologies, Inc. a annoncé ses résultats pour le deuxième trimestre clos le 30 juin 2021. Pour le deuxième trimestre, la société a annoncé que le revenu total était de 11,848 millions USD, contre 11,826 millions USD il y a un an. Le bénéfice d'exploitation s'est élevé à 456 000 USD, contre une perte d'exploitation de 1,087 million USD l'année précédente. Le bénéfice net s'est élevé à 256 000 USD, contre une perte nette de 1,294 million USD l'année précédente. Le bénéfice de base par action des activités poursuivies était de 0,01 USD, contre une perte de base par action des activités poursuivies de 0,07 USD l'année précédente. Pour le semestre, le revenu total s'est élevé à 22,128 millions de dollars, contre 21,934 millions de dollars l'année précédente. Le résultat d'exploitation s'est élevé à 172 000 USD, contre une perte d'exploitation de 2,669 millions USD l'année précédente. La perte nette s'est élevée à 204 000 USD, contre 3,026 millions USD l'année précédente. La perte de base par action des activités poursuivies s'est élevée à 0,01 USD, contre 0,16 USD l'année précédente.
Everspin Technologies, Inc. fournit des solutions de mémoire vive magnéto-résistive (MRAM). Les solutions MRAM de la société offrent une mémoire non volatile avec la vitesse et l'endurance de la mémoire vive (RAM) et permettent de protéger les données critiques, en particulier en cas de coupure de courant ou de panne. Son portefeuille de technologies MRAM comprend la Toggle MRAM et la Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Les produits Toggle MRAM sont dotés d'interfaces standard, notamment des interfaces parallèles, SPI (Serial Peripheral Interface) et QSPI (Quad SPI). Sa technologie STT-MRAM fournit des produits pour les applications de mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM), SRAM et NOR Flash. Elle propose ses produits avec des interfaces dérivées DDR3 et DDR4, ce qui facilite le remplacement de la DRAM sur batterie par la STT-MRAM. Ses capteurs 3D à magnétorésistance à effet tunnel (TMR) offrent une grande sensibilité magnétique dans un composant unique qui effectue des mesures de champ magnétique en 3D dans une solution monolithique.
EVERSPIN TECHNOLOGIES, INC. 
