Everspin Technologies, Inc. annonce ses résultats pour le troisième trimestre et les neuf mois terminés le 30 septembre 2021
Le 12 novembre 2021 à 22:36
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Everspin Technologies, Inc. a publié ses résultats pour le troisième trimestre et les neuf mois terminés le 30 septembre 2021. Pour le troisième trimestre, la société a déclaré un chiffre d'affaires de 14,8 millions USD, contre 10,12 millions USD un an plus tôt. Le bénéfice net s'est élevé à 0,88 million USD, contre une perte nette de 3,9 millions USD un an plus tôt. Le bénéfice de base par action des activités poursuivies s'élève à 0,05 USD, contre une perte de base par action des activités poursuivies de 0,21 USD l'année précédente. Le bénéfice dilué par action des activités poursuivies s'est élevé à 0,04 USD, contre une perte diluée par action des activités poursuivies de 0,21 USD l'année précédente. Pour les neuf mois, le chiffre d'affaires s'est élevé à 36,92 millions de dollars, contre 32,05 millions de dollars l'année précédente. Le bénéfice net s'est élevé à 0,676 million de dollars, contre une perte nette de 6,92 millions de dollars l'année précédente. Le bénéfice de base par action des activités poursuivies s'élève à 0,03 USD, contre une perte de base par action des activités poursuivies de 0,37 USD l'année précédente. Le bénéfice dilué par action des activités poursuivies s'est élevé à 0,03 USD, contre une perte diluée par action des activités poursuivies de 0,37 USD l'année précédente.
Everspin Technologies, Inc. fournit des solutions de mémoire vive magnéto-résistive (MRAM). Les solutions MRAM de la société offrent une mémoire non volatile avec la vitesse et l'endurance de la mémoire vive (RAM) et permettent de protéger les données critiques, en particulier en cas de coupure de courant ou de panne. Son portefeuille de technologies MRAM comprend la Toggle MRAM et la Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Les produits Toggle MRAM sont dotés d'interfaces standard, notamment des interfaces parallèles, SPI (Serial Peripheral Interface) et QSPI (Quad SPI). Sa technologie STT-MRAM fournit des produits pour les applications de mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM), SRAM et NOR Flash. Elle propose ses produits avec des interfaces dérivées DDR3 et DDR4, ce qui facilite le remplacement de la DRAM sur batterie par la STT-MRAM. Ses capteurs 3D à magnétorésistance à effet tunnel (TMR) offrent une grande sensibilité magnétique dans un composant unique qui effectue des mesures de champ magnétique en 3D dans une solution monolithique.
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