PARIS (Agefi-Dow Jones)--Le fabricant franco-italien de semi-conducteurs STMicroelectronics a annoncé mardi la signature d'un accord pluriannuel avec le groupe américain Cree portant sur la production et la fourniture de plaquettes en carbure de silicium (SiC).

Dans le cadre de cet accord, Cree va fournir à STMicroelectronics des plaquettes en SiC "pour un montant d'un quart de milliard de dollars dans un contexte de fortes croissance et demande en composants de puissance en carbure de silicium", a indiqué le groupe franco-italien dans un communiqué.

"ST est aujourd'hui la seule société de semi-conducteurs capable de produire en volume des circuits en carbure de silicium pour l'environnement automobile et nous souhaitons accélérer la croissance de notre activité SiC, tant en termes de volume que de diversité des applications servies, en vue d'atteindre une position de leader sur un marché estimé à plus de 3 milliards de dollars en 2025", a déclaré Jean-Marc Chéry, président du directoire et directeur général de STMicroelectronics.

"L'accord conclu avec Cree nous permettra d'améliorer notre flexibilité, de soutenir nos ambitions et nos plans et contribuera à favoriser l'accélération de l'utilisation du carbure de silicium dans les applications automobiles et industrielles", a ajouté le dirigeant.

-François Berthon, Agefi-Dow Jones; +33 (0)1 41 27 47 93; fberthon@agefi.fr ed: VLV 



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