L'Institut de Microélectronique (IME) de l'Agence pour la Science, la Technologie et la Recherche (A*STAR) et Soitec (Euronext Paris) ont annoncé une collaboration de recherche visant à développer des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) de nouvelle génération pour alimenter les véhicules électriques et les dispositifs électroniques avancés à haute tension. Dans le cadre de cette collaboration, les parties s'appuieront sur les technologies propriétaires de Soitec, telles que Smart Cut, et sur la ligne de production pilote d'IME pour créer des substrats de semi-conducteurs SiC de 200 mm de diamètre. La recherche conjointe contribuera au développement d'un écosystème SiC holistique et renforcera les capacités de fabrication de semi-conducteurs à Singapour et dans la région. La collaboration en matière de recherche est prévue jusqu'à la mi-2024 et vise à atteindre les résultats suivants : Développer des procédés d'épitaxie du SiC et de fabrication de transistors à effet de champ métalloxymétalliques (MOSFET) pour les substrats SiC Smart Cut afin de produire des transistors de micropuce de meilleure qualité, avec moins de défauts et un meilleur rendement pendant le processus de fabrication. Établir une référence pour les dispositifs MOSFET de puissance en SiC fabriqués sur des substrats Smart Cut SiC et démontrer les avantages du processus par rapport aux substrats en vrac classiques. L'IME d'A*STARs possède des compétences en matière d'intégration hétérogène, de systèmes intégrés, de capteurs, d'actionneurs et de microsystèmes, de RF et d'ondes millimétriques, d'électronique de puissance SiC/GaN-sur-SiC et de technologies médicales. La ligne pilote SiC 8 pouces qu'elle met en place vise à valider les processus et outils de fabrication 8 pouces à l'échelle d'une ligne pilote avant de passer à la fabrication 8 pouces en grand volume. Un double objectif de ce programme est de réaliser des travaux de R&D appliquée sur des processus et des matériaux SiC MOSFET innovants, comme les substrats SiC Smart Cut de Soitecs, afin de prépositionner l'industrie pour la fabrication SiC de nouvelle génération.