La performance de la mémoire est de plus en plus critique pour un large éventail d'applications, notamment les jeux sur PC, les serveurs, les superordinateurs et la télévision à haute définition (HDTV). Toutes ces applications traitent une grande quantité de données auxquelles il faut pouvoir accéder rapidement et efficacement. Afin de valider le niveau suivant de performance de mémoire pour ces applications, Micron Technology, Inc. (NYSE : MU), présente aujourd'hui un dispositif (DDR)3 de 1 gigabit (Gb) à double débit de données qui réduit la consommation de puissance, et augmente la vitesse et la densité de mémoire de ces applications clés.

" Nous sommes ravis de présenter les tous premiers composants DDR3 1Gb au monde, " a déclaré Brian Shirley, le vice-président du groupe mémoire de Micron. " La supériorité de Micron en matière de technologie DRAM avancée nous a placés au premier rang dans le secteur en matière de solutions de mémoire haute densité. "

Les produits DDR3 de Micron prennent en charge des débits de données de 800 mégatransferts/seconde (MT/s) à 1,600 MT/s avec des fréquences d'horloge de 400 mégahertz (MHz) à 800 MHz respectivement, doublant ainsi la vitesse de DDR2. A la vitesse maximale de DDR3, un document de 100 000 pages peut être transféré en une seconde environ. La tension d'alimentation DDR3 est passée de 1,8V à 1,5V, réduisant la consommation de jusqu'à 30% ; le dispositif est fabriqué sur la technologie 78nm de Micron. Ces avantages DDR3 vont permettre de valider le niveau suivant de performance dans un large éventail de dispositifs informatiques.

" Début 2007 devrait apporter des applications informatiques et grand public à forte consommation de mémoire, telles que Vista, le système d'exploitation anticipé de Microsoft. DDR3 va initialement cibler les marchés des serveurs, des notebooks et des ordinateurs de bureau et va alors s'étendre aux applications grand public telles que les graphiques et HDTV, " a expliqué Shane Rau, analyste principal d'IDC, une firme d'intelligence commerciale.

Des échantillons d'évaluation des composants DDR3 1Gb de pointe de Micron sont proposés à des clients sélectionnés, la production devant démarrer au début de l'année prochaine. Les composants DDR3 1Gb de Micron seront disponibles en diverses configurations de sortie (x4, x8 et x16) et seront pleinement conformes aux spécifications DDR3 JEDEC les plus récentes (JEDEC est le plus grand développeur de standards pour le secteur des semi-conducteurs). Ces composants vont prendre en charge des densités de module de 512 mégaoctets (MO) à 4 gigaoctets (GO) et divers types de modules dont les FBDIMM, UDIMM, SODIMM et RDIMM.

Un dispositif DDR3 2Gb est également prévu pour le début de l'année prochaine chez Micron, permettant même de valider des applications de plus grande densité.

Micron Technology, Inc. est l'un des principaux fournisseurs mondiaux de solutions de semi-conducteurs avancées. Par le biais de ses installations mondiales, Micron produit et commercialise des DRAM, des mémoires Flash NAND, des outils de capture d'image CMOS, d'autres produits semi-conducteurs, ainsi que des modules mémoires destinés à des produits informatiques, grand public, réseaux et sans-fil de pointe. L'action ordinaire de Micron est cotée à la bourse de New York (NYSE) sous le symbole MU. Pour en savoir plus sur Micron Technology, consultez le site www.micron.com.

Micron et le logo d'orbite Micron sont les marques de commerce de Micron Technology, Inc.

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