Intel Foundry Services (IFS) et Tower Semiconductor ont annoncé un accord par lequel Intel fournira des services de fonderie et une capacité de fabrication de 300 mm pour aider Tower à servir ses clients dans le monde entier. Dans le cadre de cet accord, Tower utilisera les installations de fabrication avancées d'Intel au Nouveau-Mexique. Tower investira jusqu'à 300 millions de dollars pour acquérir et posséder des équipements et d'autres actifs fixes à installer dans l'usine du Nouveau-Mexique, fournissant un nouveau couloir de capacité de plus de 600 000 couches de photos par mois pour la croissance future de Tower, permettant la capacité de soutenir la demande prévue des clients pour le traitement analogique avancé de 300 mm.

Cet accord démontre l'engagement d'Intel et de Tower à étendre leurs empreintes de fonderie respectives avec des solutions inégalées et des capacités mises à l'échelle. Intel fabriquera les flux BCD (bipolaire-CMOS-DMOS) hautement différenciés de Tower pour la gestion de l'énergie en 65 nanomètres, parmi d'autres flux, dans la Fab 11X d'Intel à Rio Rancho, au Nouveau-Mexique. Cet accord montre comment l'IFS permet d'accéder à des couloirs de capacité de fabrication à travers le réseau mondial d'usines d'Intel, notamment aux États-Unis, en Europe, en Israël et en Asie.

En plus des investissements existants dans l'Oregon et des investissements prévus dans l'Ohio, Intel investit et innove dans la région du sud-ouest des États-Unis depuis plus de 40 ans, avec des sites en Arizona et au Nouveau-Mexique. Intel a déjà annoncé un investissement de 3,5 milliards de dollars pour étendre ses activités au Nouveau-Mexique et équiper son campus de Rio Rancho, l'un de ses centres d'innovation, pour la fabrication d'emballages de semi-conducteurs avancés. Pour Tower, il s'agit d'une nouvelle étape sur la voie de l'augmentation d'échelle, au service d'une clientèle en expansion dans les technologies de 300 mm, grâce à la forte adoption par le marché de ses technologies de pointe BCD 65nm power et RF SOI.

Plus précisément, la technologie BCD 65nm de Tower offre aux clients une efficacité énergétique, une taille et un coût de puce améliorés grâce à son chiffre de mérite Rdson, le meilleur de sa catégorie. De même, la technologie RF SOI 65 nm de Tower aide ses clients à réduire la consommation des batteries des téléphones portables tout en améliorant les connexions sans fil grâce à son chiffre de mérite RonCoff, le meilleur de sa catégorie. L'augmentation d'échelle résultant de cet accord permettra à Tower non seulement de saisir des opportunités plus importantes avec les technologies existantes, mais aussi de renforcer les partenariats avec des clients leaders de l'industrie qui contribueront à forger des feuilles de route technologiques solides pour la prochaine génération.

L'IFS est un pilier essentiel de la stratégie IDM 2.0 d'Intel, et l'annonce d'aujourd'hui représente un nouveau pas en avant dans la transformation pluriannuelle d'Intel pour retrouver et renforcer son leadership technologique, son échelle de production et sa croissance à long terme. IFS a fait des progrès considérables au cours de l'année écoulée, comme en témoigne l'augmentation de plus de 300 % de son chiffre d'affaires d'une année sur l'autre au cours du deuxième trimestre 2023. Cet élan est encore illustré par le récent accord d'Intel avec Synopsys pour développer un portefeuille de propriété intellectuelle sur les nœuds de processus Intel 3 et Intel 18A.

Intel s'est également vu attribuer le programme Rapid Assured Microelectronics Prototypes - Commercial (RAMP-C) du ministère américain de la Défense, avec cinq clients RAMP-C en cours de conception sur Intel 18A.