Everspin Technologies, Inc. annonce des changements de direction
Le 01 avril 2022 à 12:11
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Le conseil d'administration d'Everspin Technologies, Inc. a élu chacun de Tara Long et Glen Hawk comme membre du conseil, avec effet immédiat. Le conseil a également nommé Mme Long pour siéger à son comité d'audit, à son comité de nomination et de gouvernance d'entreprise et à son comité de rémunération, et a nommé M. Hawk pour siéger à son comité d'audit et à son comité de rémunération, avec effet immédiat. Il n'y a pas d'arrangement ou d'accord entre Mme Long et toute autre personne en vertu duquel elle a été sélectionnée en tant qu'administrateur, et il n'y a pas d'arrangement ou d'accord entre M. Hawk et toute autre personne en vertu duquel il a été sélectionné en tant qu'administrateur.
Ni Mme Long ni M. Hawk n'ont d'intérêt matériel direct ou indirect dans une quelconque transaction devant être divulguée conformément à l'article 404(a) du règlement S-K du Securities Exchange Act de 1934, tel que modifié. En outre, le 28 mars 2022, Michael B. Gustafson a informé la Société de sa décision de ne pas se présenter à la réélection au Conseil d'administration lors de l'assemblée annuelle des actionnaires de 2022 de la Société, actuellement prévue pour le 25 mai 2022. La décision de M. Gustafson de quitter le Conseil n'est pas le résultat d'un désaccord avec la Société sur toute question relative aux opérations, politiques ou pratiques de la Société.
Everspin Technologies, Inc. fournit des solutions de mémoire vive magnéto-résistive (MRAM). Les solutions MRAM de la société offrent une mémoire non volatile avec la vitesse et l'endurance de la mémoire vive (RAM) et permettent de protéger les données critiques, en particulier en cas de coupure de courant ou de panne. Son portefeuille de technologies MRAM comprend la Toggle MRAM et la Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Les produits Toggle MRAM sont dotés d'interfaces standard, notamment des interfaces parallèles, SPI (Serial Peripheral Interface) et QSPI (Quad SPI). Sa technologie STT-MRAM fournit des produits pour les applications de mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM), SRAM et NOR Flash. Elle propose ses produits avec des interfaces dérivées DDR3 et DDR4, ce qui facilite le remplacement de la DRAM sur batterie par la STT-MRAM. Ses capteurs 3D à magnétorésistance à effet tunnel (TMR) offrent une grande sensibilité magnétique dans un composant unique qui effectue des mesures de champ magnétique en 3D dans une solution monolithique.
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