Vishay Intertechnology, Inc. élargit son portefeuille optoélectronique avec l'introduction d'une nouvelle diode émettant dans l'infrarouge (IR) à haute vitesse de 890 nm dans un boîtier en plastique plombé clair et non teinté. Basée sur la technologie de l'émetteur de surface, la TSHF5211 de Vishay Semiconductors combine un excellent coefficient de température de VF de -1,0 mV/K avec une intensité de rayonnement plus élevée et des temps de montée et de descente plus rapides que les dispositifs de la génération précédente. La diode émettrice libérée offre une intensité radiante typique élevée de 235 mW/sr à un courant de commande de 100 mA, soit 50 % de plus que les solutions de la génération précédente.

Avec des temps de commutation rapides de 15 ns, une faible tension directe typique de 1,5 V et un angle de demi-intensité étroit de +- 10 degrés, le dispositif servira d'émetteur à haute intensité pour les détecteurs de fumée et les capteurs industriels. Dans ces applications, le TSHF5211 offre une bonne correspondance spectrale avec les photodétecteurs au silicium. Conforme à la directive RoHS, sans halogène et Vishay Green, le composant est sans plomb (Pb) et peut être vendu sans plomb (Pb) jusqu'à 260 degrés Celsius.

Des échantillons et des quantités de production du TSHF5211 sont disponibles dès maintenant, avec des délais de 20 semaines pour les commandes importantes.