Vishay Intertechnology, Inc. a présenté deux nouveaux MOSFET TrenchFET® à canal N qui augmentent la densité de puissance, l'efficacité et la fiabilité des cartes dans les applications télécoms et industrielles. Pour atteindre ces objectifs de conception, le SiJH600E de 60 V et le SiJH800E de 80 V combinent une résistance à l'état passant ultra basse avec un fonctionnement à haute température jusqu'à +175 °C et un courant de drain continu élevé. Leur boîtier PowerPAK® 8x8L, peu encombrant, favorise la fiabilité de la carte grâce à sa construction sans fil et à ses fils en aile de mouette qui réduisent les contraintes mécaniques. La très faible résistance à l'état passant des SiJH600E et SiJH800E, respectivement de 0,65 mO et 1,22 mO à 10 V, est inférieure de 54 % et 52 % à celle des dispositifs de même génération en boîtier PowerPAK SO-8. Cela se traduit par des économies d'énergie en minimisant les pertes de puissance dues à la conduction. Pour une densité de puissance accrue, les SiJH600E et SiJH800E fournissent un courant de drain continu de 373 A et 288 A, respectivement, dans un boîtier 60 % plus petit et 57 % plus mince que le D²PAK. Pour gagner de l'espace sur la carte, chaque MOSFET peut également être utilisé à la place de deux dispositifs PowerPAK SO-8 en parallèle. Des échantillons des SiJH600E et SiJH800E sont disponibles dès maintenant. Des informations sur les délais de production et les quantités sont disponibles auprès de Vishay ou de ses partenaires de distribution.