Onsemi dévoile une solution d'alimentation complète pour améliorer l'efficacité énergétique des centres de données. Quoi de neuf ? Alors que les centres de données deviennent de plus en plus gourmands en énergie pour supporter les énormes exigences de traitement des charges de travail de l'IA, le besoin d'améliorer l'efficacité énergétique est primordial. La puissante combinaison de la dernière génération de la famille T10 PowerTrench® d'onsemi [1] et des MOSFETs EliteSiC 650V [2] crée une solution qui offre une efficacité inégalée et une performance thermique élevée dans une empreinte plus petite pour les applications de centres de données. Pourquoi c'est important : Par rapport à une requête de moteur de recherche classique, une requête de moteur assistée par l'IA nécessite plus de 10 fois plus d'énergie, ce qui entraîne des besoins en énergie des centres de données estimés à 1 000 TWh au niveau mondial dans moins de deux ans. Pour traiter une requête assistée par l'IA, l'énergie est convertie quatre fois du réseau au processeur, ce qui peut entraîner une perte d'énergie d'environ 12 %. En utilisant la famille T10 PowerTrench et la solution EliteSiC 650V, les centres de données sont en mesure de réduire les pertes d'énergie d'environ 1 %. Si elle est mise en œuvre dans les centres de données du monde entier, cette solution pourrait réduire la consommation d'énergie de 10 TWh par an, soit l'équivalent de l'énergie nécessaire pour alimenter près d'un million de foyers par an2. Comment cela fonctionne-t-il ? Le MOSFET EliteSiC 650V offre des performances de commutation supérieures et des capacités de dispositif plus faibles afin d'obtenir un meilleur rendement dans les centres de données et les systèmes de stockage d'énergie. Par rapport à la génération précédente, ces MOSFET en carbure de silicium (SiC) de nouvelle génération ont réduit de moitié la charge de grille et de 44 % l'énergie stockée dans la capacité de sortie (Eoss) et la charge de sortie (Qoss). Grâce à l'absence de courant de queue à l'arrêt et à des performances supérieures à haute température, ils permettent également de réduire considérablement les pertes de commutation par rapport aux MOSFET à superjonction (SJ). Cela permet aux clients de réduire la taille des composants du système tout en augmentant la fréquence de fonctionnement, ce qui se traduit par une réduction globale des coûts du système. Par ailleurs, la famille T10 PowerTrench est conçue pour gérer des courants élevés, essentiels pour les étages de conversion de puissance DC-DC, et offre une densité de puissance accrue et des performances thermiques supérieures dans une empreinte compacte. Ces performances sont obtenues grâce à la conception d'une tranchée de grille blindée.
Ceci est possible grâce à la conception d'une grille de blindage, qui présente une charge de grille ultra-faible et un RDS (on) inférieur à 1 milliohm. En outre, la diode de corps à récupération douce et le Qrr plus faible minimisent efficacement le ringing, les dépassements et le bruit électrique pour garantir des performances optimales,
et le bruit électrique afin de garantir des performances, une fiabilité et une robustesse optimales sous contrainte. La famille T10 PowerTrench répond également aux normes rigoureuses requises pour les applications automobiles.