Le conseil d'administration de HG Semiconductor Limited a annoncé que le Groupe a récemment commencé à fabriquer sa propre plaquette épitaxiale GaN de 6 pouces pour l'électronique de puissance (la plaquette). La fabrication réussie du Wafer intervient bien plus tôt que le calendrier prévu et ouvre la voie à l'industrialisation rapide du Groupe et à la production de masse de semi-conducteurs GaN de troisième génération. Cela représente une réalisation majeure de la transformation de l'activité du Groupe en fournisseur de semi-conducteurs GaN de troisième génération et marque une étape importante dans la commercialisation des semi-conducteurs GaN de troisième génération du Groupe.

Le Groupe reste optimiste quant aux perspectives de fabrication de semi-conducteurs de troisième génération, en particulier la fabrication et la vente de GaN, et continuera à approfondir la transformation de son activité pour atteindre son objectif de devenir le leader de l'industrie dans la fourniture de semi-conducteurs GaN de troisième génération sur le marché de la Grande Chine.