SK hynix Inc. a annoncé qu'elle avait développé un produit NAND Flash à 238 couches. La société a récemment expédié des échantillons du produit NAND 4D à 238 couches de 512 Go à triple niveau de cellule (TLC) à des clients, et prévoit de lancer la production de masse au cours du premier semestre 2023. Cellule à triple niveau (TLC) : Les produits NAND Flash sont classés en cellule à niveau unique, cellule à niveau multiple, cellule à niveau triple, cellule à niveau quadruple et cellule à niveau penta selon le nombre d'informations (unité : bit) contenues dans une seule cellule.

Le fait qu'une cellule contienne plus d'informations signifie que davantage de données peuvent être stockées dans la même étendue de surface. La société a dévoilé le développement de ce dernier produit lors du Flash Memory Summit 2022 à Santa Clara. Flash Memory Summit (FMS) : la plus grande conférence mondiale pour l'industrie NAND Flash qui se déroule chaque année à Santa Clara.

Lors de son discours d'ouverture de l'événement, SK hynix a fait une annonce conjointe avec Solidigm. Depuis le développement du produit NAND à 96 couches en 2018, SK hynix a introduit une série de produits 4D qui surpassent les produits 3D existants. La société a appliqué les technologies de flash à piège de charge et de peri sous cellule pour fabriquer des puces avec des structures 4D.

Les produits 4D ont une surface de cellule plus petite par unité par rapport à la 3D, ce qui entraîne une plus grande efficacité de production. Charge Trap Flash (CTF) : Contrairement à la porte flottante, qui stocke les charges électriques dans des conducteurs, la CTF stocke les charges électriques dans des isolants, ce qui élimine les interférences entre les cellules, améliorant les performances de lecture et d'écriture tout en réduisant la surface de cellule par unité par rapport à la technologie de la porte flottante. Peri.

Under Cell (PUC) : Une technologie qui maximise l'efficacité de la production en plaçant les circuits périphériques sous la matrice de cellules. Le produit, tout en atteignant 238 couches, est le plus petit NAND en termes de taille, ce qui signifie que sa productivité globale a augmenté de 34 % par rapport au NAND à 176 couches, car il est possible de produire plus de puces avec une densité plus élevée par unité de surface à partir de chaque tranche. La vitesse de transfert des données du produit à 238 couches est de 2,4 Go par seconde, soit une augmentation de 50 % par rapport à la génération précédente.

Le volume de l'énergie consommée pour la lecture des données a diminué de 21 %, une réalisation qui répond également à l'engagement ESG de l'entreprise. Les produits à 238 couches seront d'abord adoptés pour les SSD clients qui sont utilisés comme dispositifs de stockage pour PC, avant d'être proposés plus tard pour les smartphones et les SSD haute capacité pour serveurs. La société lancera également des produits à 238 couches en 1 térabit (Tb) l'année prochaine, avec une densité doublée par rapport au produit actuel de 512 Go.