Navitas Semiconductor Corporation présentera et exposera une gamme élargie de produits de puissance à base de nitrure de gallium (GaN) et de carbure de silicium (SiC) à l'occasion de la prestigieuse conférence européenne PCIM 2023. Avec plus de 400 articles techniques internationaux et un programme de conférences complet axé sur la technologie et les applications, PCIM u, qui se tiendra à Nuremberg, en Allemagne, du 9 au 11 mai, est le principal événement européen pour les professionnels impliqués dans les domaines de l'énergie, du contrôle et des mouvements intelligents. Les visiteurs du stand d'exposition de Navitas (Hall 9, #525) découvriront comment le GaN et le SiC offrent les performances, les fonctionnalités, la fiabilité et la facilité d'utilisation exigées par la prochaine génération de véhicules électriques, solaires, de stockage d'énergie, d'appareils électroménagers et d'entraînements industriels.

Parmi les points forts, citons les circuits intégrés de puissance GaNFasto qui intègrent la puissance, la détection et le contrôle GaN dans un seul dispositif, et les semi-conducteurs SiC GeneSiCo robustes, à haute tension et à haut rendement, optimisés pour un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles et des conceptions à haute puissance. Lors de la conférence de cette année, Navitas participera aux sessions suivantes : 9 mai : oGaN Power ICs Drive Efficiency and Size Improvements in BLDC Motor Drive Applications.o, 11.40am : GaN Devices Session, Brüssel 1, Alfred Hesener, Senior Director, Industrial Applications oGaN Power ICs Enable 300cc 700kHz 300W AC-DC Converter.o 11.40am : Power IC Session, München 2, Tom Ribarich, Senior Director Strategic Marketing oGaN-based High-Frequency, High-Power-Density, 2-in-1 Bi-directional OBCM Design for EV Applications.o Power Electronics for Electric Cars Poster Session, Foyer, NCC Mitte, Bin Li, Senior Applications Manager, for Minli Jia, Sr. Staff Applications Engineer. 10 mai : oWide Bandgap Design with GaN HEMT and Vertical GaN.o (panel) 13:05pm, Hall 7, #480, Stephen Oliver, VP Corporate Marketing & Investor Relations.

11 mai : oReliability and Quality Requirements for SiC and GaN Power Devices.o (panel) 12:10pm, Hall 7, #480, Stephen Oliver, VP Corporate Marketing & Investor Relations oHigh-Frequency High-Efficiency LLC Module with Planar Matrix Transformer for CRPS Application Using GaN Power IC.o 14:20pm, DC-DC Converters Session, Brüssel 1, Bin Li, Senior Applications Manager.