Mitsubishi Electric Corporation a annoncé qu'il allait conclure un partenariat stratégique avec Nexperia B.V. afin de développer conjointement des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) pour le marché de l'électronique de puissance. Mitsubishi Electric s'appuiera sur ses technologies de semi-conducteurs à large bande passante pour développer et fournir des puces MOSFET en SiC que Nexperia utilisera pour développer des dispositifs discrets en SiC. Le marché des véhicules électriques se développe dans le monde entier et contribue à la croissance exponentielle des semi-conducteurs de puissance SiC, qui offrent une perte d'énergie plus faible, des températures de fonctionnement plus élevées et des vitesses de commutation plus rapides que les semi-conducteurs de puissance en silicium conventionnels.

Le rendement élevé des semi-conducteurs de puissance SiC devrait contribuer de manière significative à la décarbonisation et à la transformation verte à l'échelle mondiale.