L'Industrial Technology Research Institute (ITRI) a uni ses forces à celles de la Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) pour mener des recherches pionnières sur le développement d'une puce de mémoire magnétique à accès aléatoire de type spin-orbite-couple (SOT-MRAM). Cette puce SOT-MRAM présente une architecture de mémoire innovante et se targue d'une consommation d'énergie inférieure à 1 % de celle d'un produit STT-MRAM (mémoire magnétique à accès aléatoire à couple de spin-transfert). Leurs efforts de collaboration ont abouti à un article de recherche sur ce composant microélectronique, qui a été présenté conjointement lors de la réunion internationale 2023 de l'IEEE sur les dispositifs électroniques (IEDM 2023), soulignant la nature avant-gardiste de leurs résultats et leur rôle central dans l'avancement des technologies de mémoire de la prochaine génération.

L'avènement de l'IA, de la 5G et de l'AIoT a créé une demande importante de traitement rapide, nécessitant de nouvelles solutions de mémoire caractérisées par une vitesse, une stabilité et une efficacité énergétique accrues. La collaboration fructueuse entre l'ITRI et TSMC éclaire non seulement la voie vers les technologies de mémoire de nouvelle génération, mais renforce également l'avantage concurrentiel international de Taïwan dans le secteur des semi-conducteurs.