Navitas Semiconductor Corporation a annoncé le premier d'une série d'investissements stratégiques dans la fabrication, afin d'accroître le contrôle, de réduire les coûts et d'augmenter la capacité de production de ses semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium GeneSiC (SiC).
Un investissement initial de 20 millions de dollars permet la mise en place d'une installation d'épitaxie SiC à trois réacteurs au siège de la société à Torrance, en Californie. L'ajout d'une couche épitaxiale de SiC sur une plaquette de SiC brute est la première étape de la fabrication de dispositifs de puissance individuels en SiC. Le premier réacteur d'épitaxie AIXTRON G10-SiC, avec une capacité de 6o et 8o plaquettes, devrait être entièrement qualifié et en production en 2024. Navitas considère les services d'épitaxie qui seront fournis par sa nouvelle installation comme une étape critique du processus qui pourrait soutenir jusqu'à 200 millions de dollars supplémentaires de production annuelle. L'entreprise prévoit de continuer à faire appel à des fournisseurs tiers pour les opérations supplémentaires d'épi-croissance, de fabrication de plaquettes et d'assemblage.