Classe d'Actions: IntelliEPI Inc. (Cayman)

VoteNombreFlottantAutocontrôleFlottant Total
Action A139 985 74329 850 743 ( 74,65 %) 0 74,65 %

Principaux Actionnaires: IntelliEPI Inc. (Cayman)

NomActions%Valorisation
Kingmax Technology, Inc.
6,271 %
2 959 000 6,271 % 71 M NT$
2,003 %
945 000 2,003 % 23 M NT$
1,331 %
628 000 1,331 % 15 M NT$
0,9028 %
426 000 0,9028 % 10 M NT$
0,5206 %
245 670 0,5206 % 6 M NT$
0,4887 %
230 593 0,4887 % 6 M NT$
0,4429 %
209 009 0,4429 % 5 M NT$
0,1272 %
60 000 0,1272 % 1 M NT$
0,0334 %
15 749 0,0334 % 377 065 NT$

Répartition par Type d'Actionnaires

Autres6,27%
Personnes physiques5,85%
Inconnu87,88%

Basé sur les 1000 détentions les plus importantes

Origine Géographique des Actionnaires

Taïwan
6,27%
Personnes physiques
5,85%

Basé sur les 1000 détentions les plus importantes

Logo IntelliEPI Inc. (Cayman)
IntelliEPI Inc. (Cayman) est une société holding d'Intelligent Epitaxy Technology, Inc. basée aux Îles Caïmans. La société fournit des plaquettes EPI en semi-conducteurs composés, issues de l'épitaxie, aux industries de l'électronique et de l'optoélectronique. Elle propose à ses clients une gamme variée de structures EPI pour l'électronique et l'optoélectronique, développées sur de l'arséniure de gallium (GaAs) et du phosphure d'indium (InP). Ses produits à base de GaAs comprennent des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) pseudo-morphes (AlAs, InGaP Etch Stop) et des MHEMT. Ses produits à base d’InP comprennent des transistors bipolaires à hétérojonction (dopés au C, dopés au Be, GaAsSb), des HEMT, des RTT et des RTD. Ses produits à base de Sb comprennent des photodétecteurs SLS de type II et des substrats GaSb prêts pour l’EPI. Ses produits optoélectroniques comprennent des photodiodes à avalanche (APD), des VCSEL, des PIN (GaAs, InP), des QWIP, des modulateurs et des lasers à cascade quantique. Elle utilise sa technologie de surveillance de la croissance in situ en temps réel sur des systèmes d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) pour la fabrication de plaquettes EPI sur des substrats GaAs et InP.
Employés
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